MOSFET ( Metal Oxide Semiconduction Field Effect Transistor )
adalah suatu transistor dari bahan semikonduktor(silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu .Tingkat dari ketidakmurnian ini menentukan jenis transistor tersebut,yaitu transistor MOSFET tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS).Metal Oxide Semikonduktor FET (MOSFET) adalah suatu jenis FET yang mempunyai satu drain,satu source dan satu atau dua gate.MOSFET mempunyai input impedansi yang sangat tinggi ,oleh karena itu MOSFET hanya digunakan pada bagian-bagian yang benar-benar memerlukannya.Penggunaanya misalnya sebagai RF amplifier pada receiver untuk memperoleh amplifikasi yang tinggi dengan desah yang rendah.
Bahan silikon pada MOSFET digunakan sebagai landasan (substrat) dari penguras (drain),sumber (source), dan gerbang (gate).Selanjutnya transistor dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh oksida silikon yang sangat tipis .Lapisan oksidasi pada MOSFET berfungsi untuk menghambat hubungan listrik antara terminal gerbang dengan salurannya.Lapisan oksida ini diendapkan di atas sisi kiri dari kanal,sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor),yaitu menghasilkan disipasi daya yang rendah.
Gate pada MOSFET terbuat dari bahan metal seperti aluminium.Oleh karena itu transistor MOSFET dinamakan metal-oxide.Terminal atau elektroda gerbangnya adalah sepotong logam yang permukaannya dioksidasi.Oleh karena itu ,MOSFET sering juga disebut Insulated-Gate FET (IGFET).Karena lapisan oksidasi ini bertindak sebagai dielektrik, maka pada dasarnya tidak akan terjadi aliran arus antara gerbang dan saluran. Dengan demikian impedansi input pada MOSFET menjadi sangat tinggi dan jauh melebihi impedansi input pada JFET.
Pada beberapa jenis MOSFET impedansi dapat mencapai triliunan ohm (1012 ohm). Dalam Bahasa Indonesia. MOSFET disebut juga Transistor efek medan semikonduktor logam-oksida. Salah satu kelemahan pada MOSFET adalah tipisnya lapisan oksidasi sehingga sangat rentan rusak karena adanya pembuangan elektrostatik (elektrostatik discharge.





