Pengertian Field Effect Transistor (FET)

 

Pengertian, Cara Kerja dan Jenis-jenis Field Effect Transistor (FET) – Field Effect Transistor atau disingkat dengan FET adalah komponen Elektronika aktif yang menggunakan Medan Listrik untuk mengendalikan Konduktifitasnya. Field Effect Transistor (FET) dalam bahasa Indonesia disebut dengan Transistor Efek Medan.

Dikatakan Field Effect atau Efek Medan karena pengoperasian Transistor jenis ini tergantung pada tegangan (medan listrik) yang terdapat pada Input Gerbangnya. FET merupakan Komponen Elektronika yang tergolong dalam keluarga Transistor yang memilki Tiga Terminal Kaki yaitu Gate (G), Drain (D) dan Source (S).

Field Effect Transistor atau FET memiliki fungsi yang hampir sama dengan Transistor bipolar pada umumnya. Perbedaannya adalah pada pengendalian arus Outputnya. Arus Output (IC) pada Transistor Bipolar dikendalikan oleh arus Input (IB) sedangkan Arus Output (ID) pada FET dikendalikan oleh Tegangan Input (VG) FET. 

Jadi perlu diperhatikan bahwa perbedaan yang paling utama antara Transistor Bipolar (NPN & PNP) dengan Field Effect Transistor (FET) adalah terletak pada pengendalinya (Bipolar menggunakan Arus sedangkan FET menggunakan Tegangan).

Field Effect Transistor ini sering disebut juga dengan Unipolar Transistor atau Transistor Eka Kutup, hal ini dikarena FET adalah Transistor yang bekerja bergantung dari satu pembawa muatan saja, apakah itu Elektron maupun Hole. Sedangkan pada Transistor Bipolar (NPN & PNP) pada umumnya, terdapat dua pembawa muatan yaitu Elektron yang membawa muatan Negatif dan Hole sebagai pembawa muatan Positif.

Field Effect Transistor (FET) atau Transistor Efek Medan ini diciptakan dan dipatenkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1926 dan juga oleh Oscar Hell di tahun 1934.

FET terdiri dari empat bagian diantaranya sebagai berikut.

1. Sumber (source) adalah terminal dimana pembawa muatan memasuki kanal untuk menyediakan arus dalam kanal .Arus sumber diberi simbul IS.Sumber atau source ekivalen dengan emiter pada BJT.
2. Penguras (drain) adalah terminal dimana arus meninggalkan kanal.Arus drain diberi simbul ID.Drain ekivalen dengan Collector pada BJT.
3. Gerbang (gate). Elektroda ini berfungsi mengendalikan konduktivitas kanal antara source dengan drain.Tegangan sinyal input umumnya diberikan ke gate.Tegangan gate diberi simbul VG.Gate ekivalen dengan Basis pada BJT,tetapi tegangan gate mengendalikan medan listrik dalam kanal ,sementara arus basis mengendalikan arus kolektor dalam BJT.
4. Kanal (channel) adalah saluran penghubung antara source dengan drain yang memungkinkan muatan bergerak dari source ke drain.

    Mekanisme kerja transistor ini berbeda dengan transistor BJT.Pada transistor FET ,arus yang dihasilkan /dikontrol dari drain(analogi dengan kolektor pada BJT),dilakukan oleh tegangan antara gate dan source (analogi dengan base dan emiter pada BJT).Bandingkan dengan arus pada base  yang digunakan untuk menghasilkan arus kolektor pada transistor BJT.Jadi ,FET adalah transistor transistor yang berfungsi sebagai konverter tegangan ke arus .Secara umum komponen ini komponen ini terbagi menjadi dua,yaitu N-Channel da P-Channel.Tetapi berdasarkan teknologi pembuatannya komponen ini juga terbagi menjadi dua yaitu JFET (Junction Field Effect Transistor) dan MOSFEET (Metal Oxide Semiconduction Field Effect Transistor)